三井化學與imec公司簽約 合作開發新一代EUV光刻薄膜

12月13日，三井化學與(yu) 世界領先的納米電子和數字技術研究與(yu) 創新中心imec公司簽署了戰略合作夥(huo) 伴協議，共同開發極紫外線（EUV）光刻技術，並簽署了使用碳納米管（CNT）薄膜的下一代顆粒的商業(ye) 化戰略合作夥(huo) 伴協議，該顆粒用於(yu) 極紫外線（EUV）光刻技術。
通過此次合作，三井化學將把自己的CNT粒子技術與(yu) imec的CNT粒子基礎技術相結合，力爭(zheng) 在2025-2026年之前推出用於(yu) 高功率EUV光刻技術的產(chan) 品。
合作開發下一代EUV薄膜
imec將為(wei) 三井化學新一代產(chan) 品的商業(ye) 化提供谘詢和EUV光刻機評估。新一代CNT膠粒旨在保護光掩膜免受EUV光刻過程中的汙染，並具有優(you) 異的光學性能，如高EUV透射率（>94%）和極低的EUV反射率，這對於(yu) 先進半導體(ti) 製造中的高產(chan) 量和高產(chan) 能至關(guan) 重要。
此外，新一代CNT粒子可承受超過1kW的EUV曝光功率，使其適用於(yu) ASML光刻機創新路線圖中的下一代EUV光刻機（>600 W）。在大批量生產(chan) 過程中使用EUV光刻設備的公司對這類新產(chan) 品的特性非常感興(xing) 趣，目前，三井與(yu) imec公司正通過此次合作，希望加速用於(yu) 下一代EUV光刻技術的CNT粒子商業(ye) 化。
加速布局薄膜業(ye) 務
隨著半導體(ti) 小型化，EUV光刻機變得越來越複雜，三井化學希望將新一代薄膜商業(ye) 化，以抓住半導體(ti) 相關(guan) 業(ye) 務增長的需求。
此前，三井化學從(cong) 旭化成手中收購半導體(ti) 和LCD製造工藝中光掩模用保護膜業(ye) 務，除了用於(yu) 前端半導體(ti) 工藝的EUV薄膜外，還將生產(chan) 使用深紫外（DUV）光源的光刻工藝中使用的DUV薄膜，並且靈活利用旭化成在這項業(ye) 務方麵的知識。目標是通過在後端工藝中生產(chan) 用於(yu) 3D安裝的薄膜來滿足需求，這將在其薄膜業(ye) 務中創造協同效應。
當今最先進的半導體(ti) 光刻工藝使用EUV光源，特別是13.5nm的光。EUV光允許在半導體(ti) 中構建更小的單位特征。據報道，EUVL係統目前耗資1.5億(yi) 美元，由ASML於(yu) 2019年首次部署，該公司一直保持著100%的市場份額。
據報道，EUVL係統目前耗資1.5億(yi) 美元，由ASML於(yu) 2019年首次部署，該公司一直保持著100%的市場份額。